FSD886T
产品简要描述
1.低膨胀系数（CTE低）
2.刚性强
3.碳氢系列低损耗
4.纳米陶瓷耐热性高
5.DK适中，基站最佳选择材料
6.增益，相位匹配最佳
特点
1.不同频率/温度下稳定的介电性能
2.严格的DK公差控制+/-0.05
3.优异的剥离强度
4.UL 94 V-0
5.热固性树脂体系，拥有良好的PCB加工性能，适用于混合和多层板设计
应用领域
5G通讯，传感医疗，视觉光电，信号采集，蜂窝基站天线，天线馈电网络， 遥测 ， DAS/CPE天线， 大规模天线阵列
性能数据表格
| 项目 Items | 试验方法 Method | 条件 Condition | 单位 Unit | 典型值 Typical Value | |
| 介电常数DK @10 GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | 23℃ | - | 3.0±0.05 | |
| 介质损耗DF @10 GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | 23℃ | - | 0.0026 | |
| 剥离强度 | IPC-TM-650 2.4.8 | 288℃/10s | N/mm （lb/in） | 0.7 （4） | |
| 体积电阻率 | IPC-TM-650 2.5.17.1 | A | MΩ·cm | 4.78*108 | |
| 表面电阻率 | IPC-TM-650 2.5.17.1 | A | MΩ | 2.78*108 | |
| 吸水率 | IPC-TM-650 2.6.2.1 | D-24/23 | % | 0.15 | |
| 热膨胀系数CTE (X/Y/Z-axis) | IPC-TM-650 2.4.24 | TMA (30-260℃) | ppm/℃ | ＜14 | |
| ＜15 | |||||
| ＜31 | |||||
| 介质击穿电压 | IPC-TM-650 2.5.6 | D-48/50+D-4/23 | kV | 20 | |
| 热应力 | IPC-TM-650 2.4.13.1 | 288°C[550.4F]，10 s | s | 通过视觉检测 | |
| 阻燃性 | UL94 | C-48/23/50 | 评级 | V0 | |
*以上列出的所有典型值仅供参考，不用于规范。详细信息请联系本公司，本数据表的所有权利归江苏富仕德科技发展有限公司所有。
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